RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
79
Wokół strony -365% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
3704
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston HP698656-154-KEB 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston HP698656-154-KEB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link