RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
79
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
1806
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link