RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2481
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link