RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
3313
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link