RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
42
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
14
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
4182
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link