RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
3041
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link