RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2168
2633
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link