RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2553
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link