RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3373
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link