RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3097
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link