RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2571
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link