RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2931
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link