RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3498
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link