RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
54
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2226
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link