RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3601
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link