RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3938
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link