RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3246
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link