RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3191
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link