RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3372
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link