RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1440
3047
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link