RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1440
2589
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link