RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3001
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link