RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3593
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link