RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
48
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3047
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link