RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2728
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link