RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3562
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link