RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3122
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link