RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
43
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3775
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link