RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
4182
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link