RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
43
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2950
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link