RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3716
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link