RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3872
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link