RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2429
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link