RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2494
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link