RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3818
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link