RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
56
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
4.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
56
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
1598
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link