RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2414
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link