RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3616
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link