RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2439
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link