RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3158
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link