RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
67
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
67
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1850
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link