RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2124
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link