RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2213
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link