RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2213
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link