RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
46
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2961
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link