RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3660
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX16 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link