RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
94
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
94
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1334
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link