RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3167
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link