RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2562
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link