RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
62
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1891
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link