RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
48
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2080
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link